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Dallas系列DS1230AB芯片解密技术

发布人:本站原创 发布时间:2011年07月29日 点击量:

宇博集成电路公司专业承接DS1230AB解密等Dallas系列芯片解密项目合作,针对各类型IC芯片以及疑难解密芯片,我们长期进行专门技术攻关,目前在多个研究领域均拥有系列研究成果,能够提供多达近五十余厂家的数万种型号的IC芯片解密服务。

这里,我们仅提供对DS1230AB单片机的概述及特性等关键技术介绍,供广大客户和技术工程师参考,有DS1230AB单片机解密需求者请与我们联系咨询更多详情及报价信息。

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  DS1230AB 概述

  DS1230AB 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230AB器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。

  DS1230AB的DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230AB器件专为表面贴装应用设计。DS1230AB没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

  DS1230AB 参数

  容量   256K(32K*8)

  工作电压   4.75V~5.25V

  速率   70,85,100,120,150,200

  存储器类型   非易失 SRAM

  接口类型   并口

  封装类型   EDIP28、PCM34

  DS1230AB 特性

  ·在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年

  ·掉电期间数据被自动保护

  ·替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存

  ·没有写次数限制

  ·低功耗CMOS操作

  ·70ns的读写时间

  ·第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态

  ·±5%工作范围

  ·可选的-40℃~85℃工业级温度范围,指定为IND

  ·JEDEC标准的28引脚DIP封装

  ·PowerCap模块(PCM)封装

   表面贴装模块

   可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池

   所有非易失SRAM器件提供标准引脚

   分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

   通过美国保险商实验室协会(UL)认证

宇博芯片解密研究所专业提供DS1230AB解密(破解)等IC芯片及单片机解密服务,针对客户的具体解密型号,我们专业的解密技术研究工程师在多次反复实验验证和多次经验积累的基础上可提供高效、可靠、具备价格优势和成本周期控制优势的解密方案,可以为客户项目开发的顺利进行提供全方位技术支持。

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